William B. Shockley

amerikanischer Physiker; Nobelpreis für Physik 1956 zus. mit Walter H. Brittain und John Bardeen für die Entwicklung des als "Transistor" bezeichneten winzigen Verstärkerelements

* 13. Februar 1910 London (Großbritannien)

† 12. August 1989 Stanford/CA

Herkunft

William Bradford Shockley wurde am 13. Febr. 1910 als Sohn eines amerikanischen Bergwerkingenieurs in London/England geboren. Im Alter von drei Jahren kehrte er mit seinen Eltern in die USA zurück und wuchs in Kalifornien auf.

Ausbildung

Er besuchte die Hollywood High School bis 1927 und später das California Institute of Technology bis 1932, wo er den Grad eines Bachelor of Science erwarb. Danach lehrte er am Massachusetts Institute of Technology (MIT) in Cambridge/Mass. und erwarb dort gleichzeitig den philosophischen Doktorgrad.

Wirken

1936 trat er in den Forschungsstab des Laboratoriums der Bell-Telephone-Company in Murray Hill, N.J., ein. Er beschäftigte sich dort besonders mit den elektrischen Halbleitern und der Konstruktion von Vakuumröhren. Während des Zweiten Weltkrieges unterbrach er seine Arbeit bei Bell, um 1942 im Auftrag der amerikanischen Marine als einer der Direktoren an dem der Columbia-Universität angeschlossenen Forschungsinstitut für die Unterseeboot-Abwehr zu wirken. Außerdem war S. gleichzeitig beratender Experte des amerikanischen Kriegsministers.

1945 kehrte S. zu Bell zurück. Zusammen mit Dr. Walter H. Brittain und Prof. ...